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曾经的LED领头羊Cree剥离照明业务 对我国发展化合物半导体有何启示?

2019-03-18 09:15
来源: 赛迪网

2019年3月15日,美国Cree公司宣布将旗下、飞利浦等国际传统照明龙头企业纷纷出售和剥离LED照明业务。加之龙头企业早期布局的核心发明专利逐渐脱离保护年限,掌握芯片制造产能和强大应用市场的中国LED企业成为行业的主力。、木林森、等成为代表企业。根据CSA的数据,2018年我国总体产值超过7000亿元,芯片产能超过1200万片/月(折合4英寸)。

(二)Cree在半导体照明市场风光不再

Cree公司曾是LED技术进步的领头羊。依托SiC材料领域的优势,Cree以独有的“SiC衬底LED”技术路线,屡屡打破LED照明的发光效率纪录。Cree于2015年将LED发光效率提升至303lm/W,打破了其在2013年创下的276lm/W的纪录。然而,100-200lm/W的光效已能满足大部分照明场景需求,高发光效率并不能继续提升产品附加值。加之基于“蓝宝石衬底LED”技术路线的LED制造成本持续下跌,Cree在LED市场的竞争优势日益弱化。公司照明业务收入近三年来下滑了近40%。2017年,Cree选择与国内三安光电公司成立合资公司,变相让出了中低功率LED市场。

图1  2016-2019财年Cree公司营业收入(单位:百万美元)

数据来源:公司财报,赛迪智库整理和预测

(三)新兴应用市场驱动化合物半导体产业成长

除了具有出色的发光性能,化合物半导体相对Si器件还具有开关速度快、耐电压高、散热好等特点,在射频和功率器件领域拥有更优异的性能。

在新能源汽车中,使用SiC功率器件可以使充电装置体积缩小80%、重量减轻60%、能量损耗降低25%。特斯拉的Model 3车型中已采用SiC MOSFET作为逆变器的开关器件,替代IGBT器件。在移动通信基站中,使用GaN射频器件可以满足更高通信频段下的通信效率,使每座基站可覆盖的用户提升2倍,单用户的数据传输速率提升10倍。华为公司在4G通信基站中已开始批量使用GaN射频器件,替代LDMOS器件。此外在光伏、风能、家电等应用市场,SiC和GaN器件也有替代市场空间。

2018年,全球SiC功率器件市场规模约为4.5亿美元,全球GaN射频器件市场规模约为5亿美元,5年后的市场规模有望分别达到20亿美元和10亿美元。

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